半導體材料InGaN生長的相分離研究

9200字 26頁 原創(chuàng)作品，已通過查重系統(tǒng)


摘要 寬帶隙Ⅲ族氮化物半導體材料在新型光電器件中具有潛在的應用它的研究目前已成為材料科學中一個極其活躍的前沿。這類材料的直接帶隙結構和寬帶隙特性以及它們所具有的強度大熔點高熱導電性好等優(yōu)異物理性質使其在光電器件尤其是在綠色、藍綠色和藍色發(fā)光器件中具有潛在的重要應用。
半導體材料InGaN借由改變InN和GaN成分的比例，帶隙可以從0.70 eV連續(xù)變到3.42 eV，基本上覆蓋了整個可見光波段，還包括了部分紅外波段，且均具有直接帶隙，因此它在光電器件和光存儲器件方面都有著很大的利用價值；因其擊穿電壓和電子飽和速率較高，在微波、電力工業(yè)中新型電子開關等高頻大功率電子器件領域有著應用前景；此外，其高熱導率、強原子鍵、高化學穩(wěn)定性等屬性在高溫大功率器件方面也有廣闊前景。
本文著重介紹InGaN相分離形式、產(chǎn)生條件、誘發(fā)以及混溶隙的計算和模擬出圖，其中，混溶隙將成為代表InGaN這類合金外延生長的一個顯著問題，另外簡要介紹了InGaN基于MOVPE的熱力學分析，通過金屬有機化合物氣相外延（MOVPE）為 合金計算平衡分壓與混晶氣-固組分的相圖。


關鍵詞: InGaN材料 相分離 混溶隙 熱力學分析 MOVPE