水溶性量子點(diǎn)cdte的制備及表征.doc
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水溶性量子點(diǎn)cdte的制備及表征,水溶性量子點(diǎn)cdte的制備及表征 preparation and characterization of water-soluble cdte quantum dots 1.48萬字33頁原創(chuàng)作品,已通過查重系統(tǒng)摘要:目的采用水相制備法制備水溶性量子點(diǎn)cdte,對(duì)其制備工藝進(jìn)行優(yōu)化,并進(jìn)行表征。方法以碲粉、氯化鎘和巰基...
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水溶性量子點(diǎn)CdTe的制備及表征
Preparation and characterization of water-soluble CdTe quantum dots
1.48萬字 33頁 原創(chuàng)作品,已通過查重系統(tǒng)
摘 要:目的 采用水相制備法制備水溶性量子點(diǎn)CdTe,對(duì)其制備工藝進(jìn)行優(yōu)化,并進(jìn)行表征。方法 以碲粉、氯化鎘和巰基丙酸為原料,采用水相制備法制備水溶性CdTe量子點(diǎn),系統(tǒng)地研究了鎘碲比、MPA的量、pH值、回流時(shí)間、反應(yīng)溫度等反應(yīng)條件對(duì)CdTe量子點(diǎn)生長速率和熒光強(qiáng)度的影響;采用透射電鏡、紅外光譜、X射線衍射等多種表征技術(shù)對(duì)制備的CdTe量子點(diǎn)進(jìn)行表征評(píng)價(jià)。結(jié)果 通過適當(dāng)減少M(fèi)PA的量,增大反應(yīng)物中碲的量降低鎘碲比及控制反應(yīng)溶液的pH為弱堿性,同時(shí)提高反應(yīng)溫度可以用來制備光學(xué)性質(zhì)優(yōu)異的CdTe量子點(diǎn)。MPA對(duì)量子點(diǎn)表面修飾后,CdTe量子點(diǎn)熒光強(qiáng)度高,穩(wěn)定性好。結(jié)論 摩爾比Cd2+: HTe-: MPA=1:0.5:2.4,pH值為9,96℃下,回流時(shí)間為1 h的條件下制備的CdTe量子點(diǎn)熒光強(qiáng)度最強(qiáng),熒光量子生長速率最快。表征結(jié)果表明制備的CdTe量子點(diǎn)形態(tài)呈均一規(guī)則的球形,平均粒徑為6 nm左右。
關(guān)鍵詞:量子點(diǎn)CdTe;水相制備法;表征;熒光強(qiáng)度
Preparation and characterization of water-soluble CdTe quantum dots
1.48萬字 33頁 原創(chuàng)作品,已通過查重系統(tǒng)
摘 要:目的 采用水相制備法制備水溶性量子點(diǎn)CdTe,對(duì)其制備工藝進(jìn)行優(yōu)化,并進(jìn)行表征。方法 以碲粉、氯化鎘和巰基丙酸為原料,采用水相制備法制備水溶性CdTe量子點(diǎn),系統(tǒng)地研究了鎘碲比、MPA的量、pH值、回流時(shí)間、反應(yīng)溫度等反應(yīng)條件對(duì)CdTe量子點(diǎn)生長速率和熒光強(qiáng)度的影響;采用透射電鏡、紅外光譜、X射線衍射等多種表征技術(shù)對(duì)制備的CdTe量子點(diǎn)進(jìn)行表征評(píng)價(jià)。結(jié)果 通過適當(dāng)減少M(fèi)PA的量,增大反應(yīng)物中碲的量降低鎘碲比及控制反應(yīng)溶液的pH為弱堿性,同時(shí)提高反應(yīng)溫度可以用來制備光學(xué)性質(zhì)優(yōu)異的CdTe量子點(diǎn)。MPA對(duì)量子點(diǎn)表面修飾后,CdTe量子點(diǎn)熒光強(qiáng)度高,穩(wěn)定性好。結(jié)論 摩爾比Cd2+: HTe-: MPA=1:0.5:2.4,pH值為9,96℃下,回流時(shí)間為1 h的條件下制備的CdTe量子點(diǎn)熒光強(qiáng)度最強(qiáng),熒光量子生長速率最快。表征結(jié)果表明制備的CdTe量子點(diǎn)形態(tài)呈均一規(guī)則的球形,平均粒徑為6 nm左右。
關(guān)鍵詞:量子點(diǎn)CdTe;水相制備法;表征;熒光強(qiáng)度
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