BST/PVDF復(fù)合薄膜的制備及介電性能研究

1.57萬字 38頁 原創(chuàng)作品，已通過查重系統(tǒng)


摘要 具有高介電性能的陶瓷/聚合物功能復(fù)合材料在電子材料領(lǐng)域中有著極其廣泛的應(yīng)用前景。本文采用旋涂法制備0-3型PVDF/BST復(fù)合薄膜，研究發(fā)現(xiàn)BST/PVDF復(fù)合薄膜的介電常數(shù)隨BST含量的增加而增加，在BST體積分?jǐn)?shù)為50%時(shí)介電常數(shù)約為60，介質(zhì)損耗0.06。硅烷偶聯(lián)劑KH550對(duì)BST粉體表面改性能有效改善BST粉體的團(tuán)聚介電性能得到一定提高。采用XRD、SEM、傅里葉紅外光譜等表征技術(shù)，對(duì)PVDF/BST復(fù)合薄膜的微觀結(jié)構(gòu)進(jìn)行了表征。



關(guān)鍵詞：聚偏氟乙烯，鈦酸鍶鋇，介電性能，復(fù)合材料