高介電CCTO薄膜制備技術(shù)研究
Research of high dielectric CCTO thin film preparation technology

1.2萬字 37頁 原創(chuàng)作品，已通過查重系統(tǒng)


摘要 高介電CCTO材料具有良好的性能和廣泛的應(yīng)用價值。本文詳細(xì)論述了CCTO材料的結(jié)構(gòu)、制備方法、改性機理及其他性能。本課題通過溶膠-凝膠法制備Al、P、Si元素?fù)诫sCCTO溶液，經(jīng)陳化制備溶膠，通過浸漬提拉法獲得薄膜，并將薄膜于900℃退火2h，得到均勻的CCTO薄膜。通過X射線衍射檢測其物相組成，利用原子力顯微鏡觀察其微觀形貌，其介電性能和壓敏性能分別用Agilent 4294A阻抗分析儀和CJ1001壓敏測試儀進(jìn)行測試。由比較普遍的觀點，CCTO材料的巨介電性能是由于其內(nèi)部阻擋層電容（IBLC）產(chǎn)生。本課題旨在分析研究不同摻雜對CCTO薄膜性能的影響。通過Al、P、Si元素的摻雜，可以看到介電常數(shù)和介質(zhì)損耗都產(chǎn)生了提高。通過比較三組實驗，在摻雜量為0.2的時候，介電性能發(fā)生顯著提高，同時其具有良好的E-J非線性特征。Al元素的p型摻雜和P元素的n型摻雜對CCTO材料性能的影響有待進(jìn)一步研究。


關(guān)鍵詞： CCTO；高介電材料；溶膠-凝膠法