二氧化錫半導體薄膜制備的研究
Study on Preparation of Tin Oxide Semiconductor
Thin Films

1.97萬字 36頁 原創(chuàng)作品，已通過查重系統(tǒng)


摘要 SnO2薄膜具有電阻率低，在可見光區(qū)域透過率高，熱穩(wěn)定性好，較強的化學穩(wěn)定性和良好的吸附性而被廣泛應用于電極材料、太陽能電池、敏感材料、光電子器件、薄膜電阻器、熱反射鏡和熒光燈等各種領域。制備SnO2薄膜的方法有很多，包括化學氣相沉積法，真空蒸發(fā)法，噴霧熱解法，脈沖激光沉積法，磁控濺射法，溶膠凝膠法，電子束外延法，基質(zhì)輔助脈沖激光蒸發(fā)法，連續(xù)離子層吸附反應法，噴霧凝膠熱解法等。溶膠凝膠法因其具有成本低廉，均勻性好，純度高，可控制變量等優(yōu)點而被廣泛應用。
本論文以氯化亞錫（SnCl2﹒2H2O）和無水乙醇（CH3CH2OH）為前驅(qū)體原料，使用溶膠凝膠提拉法制備了一系列SnO2薄膜，并運用X-射線衍射儀（XRD），掃描電鏡（SEM），電阻測試儀和原子力顯微鏡（AFM）對樣品薄膜的結構和性能進行了研究。
本文通過摻雜一定比例的Sb來研究所制備樣品薄膜的性能，實驗結果表明，隨著鍍膜層數(shù)的增加，SnO2薄膜的電阻呈現(xiàn)先減后增的趨勢，當鍍膜為8層時，電阻降到最低值，因而在其他因素作為變量時鍍膜層數(shù)均為8層；隨著熱處理溫度的升高，SnO2薄膜的電阻逐漸變小，SEM照片顯示在450℃以上時，薄膜的結晶度良好，晶粒尺寸在十個納米以下；未摻雜SnO2薄膜屬于四方金紅石型結構，具有微弱的電導性，Sb摻雜沒有產(chǎn)生新的晶相，隨著Sb摻雜濃度的增加薄膜的電阻值表現(xiàn)出先減小后增大的趨勢，在Sb摻雜量為15mol%時，薄膜的電阻降到了最低值0.135MΩ。


關鍵詞 SnO2薄膜 溶膠凝膠法 Sb摻雜改性 導電性能