二維硫化物超薄微納結(jié)構(gòu)材料設(shè)計制備研究.doc
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二維硫化物超薄微納結(jié)構(gòu)材料設(shè)計制備研究,designed preparation of two-dimensional ultrathin sulfide micro/nanostructure1.3萬字27頁 原創(chuàng)作品,已通過查重系統(tǒng)目錄第一章 緒論- 1 -1.1 納米材料的基本概念- 1 -1.2 納米材料的分類-...
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二維硫化物超薄微納結(jié)構(gòu)材料設(shè)計制備研究
Designed preparation of two-dimensional ultrathin sulfide micro/nanostructure
1.3萬字 27頁 原創(chuàng)作品,已通過查重系統(tǒng)
目錄
第一章 緒論 - 1 -
1.1 納米材料的基本概念 - 1 -
1.2 納米材料的分類 - 1 -
1.3 納米材料的基本效應(yīng) - 2 -
1.3.1 表面效應(yīng) - 2 -
1.3.2 小尺寸效應(yīng) - 2 -
1.3.3 宏觀量子隧道效應(yīng) - 2 -
1.3.4 體積效應(yīng) - 2 -
1.4 硫化物的應(yīng)用 - 3 -
1.5 硫化物的制備 - 4 -
1.5.1濕化學(xué)法 - 4 -
1.5.2 溶劑熱/水熱法 - 4 -
1.5.3 微乳液法 - 7 -
1.5.4 高溫硫化法 - 8 -
1.5.5 高能球磨與高溫固相燒結(jié)相結(jié)合 - 8 -
1.5.6 一鍋熱分解法 - 9 -
1.6 本論文的研究內(nèi)容 - 9 -
第二章 超薄CdS 納米片的制備及其光電化學(xué)性能研究 - 10 -
2.1 引言 - 10 -
2.2 實驗部分 - 10 -
2.2.1 實驗藥品 - 10 -
2.2.2 實驗儀器 - 11 -
2.2.3實驗步驟 - 11 -
第三章 結(jié)果與討論 - 13 -
3.1 X射線衍射分析 - 13 -
3.2 掃描電鏡分析 - 14 -
3.3 透射電鏡分析 - 14 -
3.4 光學(xué)性質(zhì)測量 - 15 -
3.4.1 UV-Vis漫反射吸收光譜 - 15 -
3.5 光電化學(xué)性能測試 - 16 -
3.5.1 光電流曲線 - 16 -
3.5.2 I-t 電流曲線 - 17 -
3.5.3 阻抗圖 - 17 -
3.6 結(jié)論 - 18 -
致謝 - 19 -
參考文獻 - 20 -
摘要:我們通過一種簡單的溶劑熱合成的方法,用丁胺,氯化鎘(CdCl2R26;2.5H2O)和硫粉作為主要的反應(yīng)物。通過X-射線單晶衍射,掃描電鏡(SEM)透射電鏡(TEM)以及漫反射對合成的超薄CdS納米片的結(jié)構(gòu)進行了表征。結(jié)果顯示,CdS納米片在紫外-可見光區(qū)有較強的吸收。在此基礎(chǔ)上,考察了CdS納米片的光電化學(xué)性能。研究結(jié)果表明,CdS納米片對可見光有響應(yīng),具有較好的光電化學(xué)性能。這意味著它們在光電器件,儲能方面的潛在應(yīng)用。
關(guān)鍵字:超薄納米片,CdS,溶劑熱,光電化學(xué)性能。
Designed preparation of two-dimensional ultrathin sulfide micro/nanostructure
1.3萬字 27頁 原創(chuàng)作品,已通過查重系統(tǒng)
目錄
第一章 緒論 - 1 -
1.1 納米材料的基本概念 - 1 -
1.2 納米材料的分類 - 1 -
1.3 納米材料的基本效應(yīng) - 2 -
1.3.1 表面效應(yīng) - 2 -
1.3.2 小尺寸效應(yīng) - 2 -
1.3.3 宏觀量子隧道效應(yīng) - 2 -
1.3.4 體積效應(yīng) - 2 -
1.4 硫化物的應(yīng)用 - 3 -
1.5 硫化物的制備 - 4 -
1.5.1濕化學(xué)法 - 4 -
1.5.2 溶劑熱/水熱法 - 4 -
1.5.3 微乳液法 - 7 -
1.5.4 高溫硫化法 - 8 -
1.5.5 高能球磨與高溫固相燒結(jié)相結(jié)合 - 8 -
1.5.6 一鍋熱分解法 - 9 -
1.6 本論文的研究內(nèi)容 - 9 -
第二章 超薄CdS 納米片的制備及其光電化學(xué)性能研究 - 10 -
2.1 引言 - 10 -
2.2 實驗部分 - 10 -
2.2.1 實驗藥品 - 10 -
2.2.2 實驗儀器 - 11 -
2.2.3實驗步驟 - 11 -
第三章 結(jié)果與討論 - 13 -
3.1 X射線衍射分析 - 13 -
3.2 掃描電鏡分析 - 14 -
3.3 透射電鏡分析 - 14 -
3.4 光學(xué)性質(zhì)測量 - 15 -
3.4.1 UV-Vis漫反射吸收光譜 - 15 -
3.5 光電化學(xué)性能測試 - 16 -
3.5.1 光電流曲線 - 16 -
3.5.2 I-t 電流曲線 - 17 -
3.5.3 阻抗圖 - 17 -
3.6 結(jié)論 - 18 -
致謝 - 19 -
參考文獻 - 20 -
摘要:我們通過一種簡單的溶劑熱合成的方法,用丁胺,氯化鎘(CdCl2R26;2.5H2O)和硫粉作為主要的反應(yīng)物。通過X-射線單晶衍射,掃描電鏡(SEM)透射電鏡(TEM)以及漫反射對合成的超薄CdS納米片的結(jié)構(gòu)進行了表征。結(jié)果顯示,CdS納米片在紫外-可見光區(qū)有較強的吸收。在此基礎(chǔ)上,考察了CdS納米片的光電化學(xué)性能。研究結(jié)果表明,CdS納米片對可見光有響應(yīng),具有較好的光電化學(xué)性能。這意味著它們在光電器件,儲能方面的潛在應(yīng)用。
關(guān)鍵字:超薄納米片,CdS,溶劑熱,光電化學(xué)性能。
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