氮化硅（snm）存儲器.ppt
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氮化硅（snm）存儲器,編程過程 中，電子通過sio2和部分si3n4的 fn隧穿、與電荷陷阱態(tài)間的直接隧穿、從電荷陷阱態(tài)的pf發(fā)射是主要輸運機制 進入到氮化硅的電子進入到陷阱態(tài)第1項是p-f發(fā)射，第2項是陷阱電子的隧穿場發(fā)射，第三項是低場限制電路en是氮化硅中的電場，e2是陷阱能級
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編程過程 中，電子通過SiO2和部分Si3N4的 FN隧穿、與電荷陷阱態(tài)間的直接隧穿、從電荷陷阱態(tài)的PF發(fā)射是主要輸運機制
進入到氮化硅的電子進入到陷阱態(tài)
第1項是P-F發(fā)射，第2項是陷阱電子的隧穿場發(fā)射，第三項是低場限制電路En是氮化硅中的電場，E2是陷阱能級
進入到氮化硅的電子進入到陷阱態(tài)
第1項是P-F發(fā)射，第2項是陷阱電子的隧穿場發(fā)射，第三項是低場限制電路En是氮化硅中的電場，E2是陷阱能級
