數(shù)字集成電路平面設(shè)計(jì)與工藝研究
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摘 要
根據(jù)數(shù)字混合集成電路的設(shè)計(jì)原理及設(shè)計(jì)指導(dǎo)規(guī)則，結(jié)合現(xiàn)有的薄膜混合集成電路制造工藝，對(duì)雙穩(wěn)態(tài)觸發(fā)器電路進(jìn)行了電路的平面圖形設(shè)計(jì)，并繪出了電路工藝版圖，對(duì)所用的膜電阻、膜電容的材料進(jìn)行了說(shuō)明，對(duì)外貼式元件（三極管，二極管）的放置位置進(jìn)行了設(shè)計(jì)說(shuō)明。
關(guān)鍵詞：混合集成電路，薄膜工藝，材料,膜電容，膜電阻
目 錄
摘 要 I
ABSTRACT II
目 錄 III
引 言 1
1、數(shù)字HIC 的概述 2
1．1數(shù)字HIC 的分類 2
1．2數(shù)字HIC 的特點(diǎn) 3
1．3 薄膜電路與厚膜電路的區(qū)別 3
1．4數(shù)字HIC在微電子技術(shù)中的地位 3
2、HIC元、器件的平面圖形設(shè)計(jì) 5
2.1薄厚膜集成方式的選擇 5
2.2膜電阻器的平面圖形設(shè)計(jì) 5
2.2.1 膜電阻率和方阻 5
2.2.2電阻設(shè)計(jì)3種方法 5
2.3膜電容的平面圖形設(shè)計(jì) 8
2.3.1膜電容的主要特性參數(shù) 8
2.3.2膜電容的平面設(shè)計(jì) 10
2.4導(dǎo)電帶、焊接區(qū)和交叉區(qū)的設(shè)計(jì) 13
2.4.1導(dǎo)電帶設(shè)計(jì) 13
2.4.2焊區(qū)的設(shè)計(jì) 13
2.4.3交叉區(qū)的設(shè)計(jì) 13
3、HIC平面設(shè)計(jì)基礎(chǔ) 14
3.1基片材料 14
3.1.1基片材料概述 14
3.1.2基片的要求 14
3.2薄膜材料 15
3.2.1薄膜導(dǎo)體材料 15
3.2.2薄膜電阻材料 16
3.2.3薄膜介質(zhì)材料 17
3.2.4薄膜絕緣體材料 17
3．3薄膜工藝 17
4、數(shù)字HIC的平面化布局設(shè)計(jì) 18
4.1設(shè)計(jì)指導(dǎo)原則 18
4.2電路平面圖的粗略布局 19
4.3膜電阻的寄生效應(yīng) 22
4.4 HIC的熱設(shè)計(jì) 22
4.4.1混合集成電路熱設(shè)計(jì)的基本原則 22
4.4.2混合集成電路的散熱方式 23
4.5電路平面化布局的設(shè)計(jì)和計(jì)算 23
5、總 結(jié) 30
致 謝 31
參考文獻(xiàn) 32