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雙晶體管電荷分離分析的理論與應(yīng)用

摘要

　　　為了評估MOS晶體管的輻射響應(yīng)，我們這里描述一個雙晶體管電荷分離方法。這種方法需要相同加工氧化物的n-和p-通道晶體管被輻射在相同的氧化物電場中。結(jié)合"單晶體管" midgap法和流動性方法的特點，我們知道一個可確定的閾值電壓變化決定于氧化物被困與界面被困標(biāo)準(zhǔn)來自于閾值電壓和流動測量。這些測量能多做2-5命令比使用midgap法 ，亞閾值斜率， 和電荷抽水方法。雙晶體管法中沒有可調(diào)參數(shù)，并包含一個內(nèi)部自我一致性檢查。比較MOS工藝和技術(shù)的midgap法 ，亞閾值斜率，和收取抽水方法精確的方法被驗證了。雙晶體管的測量和分析，不僅提供了有用的檢查單晶體管的分析方法，也提供了許多應(yīng)用中電荷分離方法的方法。包括測試1 ）裝置在生產(chǎn)環(huán)境; 2 ）設(shè)備與寄生蟲場氧化層泄漏; 3 ） SOS和so1技術(shù)與后勤閘或側(cè)墻滲漏，4 ） MOS晶體管在極高的溫度下。