摻雜TiO2的ZnO-Bi2O3壓敏電阻器的性能及發(fā)展

傅靜 徐政
( 同濟大學材料科學與工程學院, 上海 200092)
摘要 本文回顧了ZnO壓敏電阻的歷史,闡述了ZnO壓敏電阻器的性能以及當前基礎性研究的現(xiàn)狀,并對其發(fā)展進行了展望。壓敏電阻器未來的發(fā)展趨勢是生產(chǎn)低壓高能多層式ZnO壓敏電阻器。二種添加劑由于功能不同而加以區(qū)分，我們從理論上分析了Bi2O3和TiO2添加劑的作用機理。TiO2的添加促進了ZnO晶粒的長大，進一步減小了晶界擊穿電壓。特別是毫微米級膠體TiO2添加劑的使用，為低電壓ZnO壓敏電阻器的制造提出了新的方法。此外，燒結(jié)溫度對ZnO壓敏電阻的電性能也有著重要影響。一般，低電壓ZnO壓敏陶瓷的適當燒結(jié)溫度不應超過1250℃。這些影響為研究低電壓ZnO壓敏電阻提供了有效、合理的方法。

關(guān)鍵詞 ZnO壓敏電阻器 性能 發(fā)展 添加劑 Bi2O3 TiO2 晶粒生長