多孔SiOC中原位合成SiC納米線及其微觀結構

1.69萬字 35頁 原創(chuàng)作品，獨家提交，已通過查重系統(tǒng)


摘 要
本課題采用用木粉為多孔模板，聚硅氧烷為前軀體，在多孔陶瓷中原位合成了SiC納米線。并利用多種分析測試手段對產物進行了表征，如SEM，EDS，XRD，TEM，TG-DSC等，在實驗中對納米線生長過程及形貌進行觀察研究，對納米線的生長過程和生長機理進行了分析。研究結果表明：SiC納米線生長在多孔陶瓷中，長度達幾十微米，SiC納米線生長機理為VLS和VS生長模式，其生長與木粉與前驅體比例，燒結溫度有關。由于提供的保護氣體的不穩(wěn)定性，單根納米線呈現(xiàn)了非均一的直徑和形態(tài)。木粉與聚硅氧烷的比例合成SiC納米線的產量和形貌具有重要影響，木粉比例越大所呈現(xiàn)的納米線形貌就更典型多為直線型，燒結溫度對納米線的形貌影響不大，但比例和燒結溫度對納米線的產量有重要影響。


關鍵詞：聚硅氧烷前驅體；SiC納米線；生長機理