多孔SiOC中原位合成SiC納米線及其微觀結(jié)構(gòu)

1.69萬(wàn)字 35頁(yè) 原創(chuàng)作品，獨(dú)家提交，已通過(guò)查重系統(tǒng)


摘 要
本課題采用用木粉為多孔模板，聚硅氧烷為前軀體，在多孔陶瓷中原位合成了SiC納米線。并利用多種分析測(cè)試手段對(duì)產(chǎn)物進(jìn)行了表征，如SEM，EDS，XRD，TEM，TG-DSC等，在實(shí)驗(yàn)中對(duì)納米線生長(zhǎng)過(guò)程及形貌進(jìn)行觀察研究，對(duì)納米線的生長(zhǎng)過(guò)程和生長(zhǎng)機(jī)理進(jìn)行了分析。研究結(jié)果表明：SiC納米線生長(zhǎng)在多孔陶瓷中，長(zhǎng)度達(dá)幾十微米，SiC納米線生長(zhǎng)機(jī)理為VLS和VS生長(zhǎng)模式，其生長(zhǎng)與木粉與前驅(qū)體比例，燒結(jié)溫度有關(guān)。由于提供的保護(hù)氣體的不穩(wěn)定性，單根納米線呈現(xiàn)了非均一的直徑和形態(tài)。木粉與聚硅氧烷的比例合成SiC納米線的產(chǎn)量和形貌具有重要影響，木粉比例越大所呈現(xiàn)的納米線形貌就更典型多為直線型，燒結(jié)溫度對(duì)納米線的形貌影響不大，但比例和燒結(jié)溫度對(duì)納米線的產(chǎn)量有重要影響。


關(guān)鍵詞：聚硅氧烷前驅(qū)體；SiC納米線；生長(zhǎng)機(jī)理