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nea gan光電陰極的光譜響應(yīng).doc

  
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nea gan光電陰極的光譜響應(yīng),nea gan光電陰極的光譜響應(yīng)1.19萬(wàn)字28頁(yè) 原創(chuàng)作品，通過(guò)查重系統(tǒng) 畢業(yè)設(shè)計(jì)說(shuō)明書(shū)中文摘要gan是一種新型半導(dǎo)體材料，在紫外光電陰極領(lǐng)域有著廣泛的應(yīng)用前景。本文通過(guò)介紹spice提出的光電發(fā)射三部模型，詳細(xì)介紹了光電發(fā)射從內(nèi)部光電子激發(fā)、光電子從內(nèi)部傳輸?shù)奖砻妗⒋┻^(guò)表面勢(shì)壘逸出的過(guò)程。以及介紹了負(fù)電子親和勢(shì)的原...
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分類(lèi): 論文>通信/電子論文

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NEA GaN光電陰極的光譜響應(yīng)

1.19萬(wàn)字 28頁(yè) 原創(chuàng)作品，通過(guò)查重系統(tǒng)


畢業(yè)設(shè)計(jì)說(shuō)明書(shū)中文摘要
GaN是一種新型半導(dǎo)體材料，在紫外光電陰極領(lǐng)域有著廣泛的應(yīng)用前景。
本文通過(guò)介紹Spice提出的光電發(fā)射三部模型，詳細(xì)介紹了光電發(fā)射從內(nèi)部光電子激發(fā)、光電子從內(nèi)部傳輸?shù)奖砻?、穿過(guò)表面勢(shì)壘逸出的過(guò)程。以及介紹了負(fù)電子親和勢(shì)的原理，說(shuō)明了NEA特性對(duì)光電陰極領(lǐng)域的重要作用。
本文還介紹了GaN材料的晶體結(jié)構(gòu)和能級(jí)結(jié)構(gòu)，說(shuō)明了電子從GaN光電陰極發(fā)射到真空的過(guò)程和機(jī)理。
通過(guò)測(cè)試Cs/O激活后獲得負(fù)表面勢(shì)后的光譜響應(yīng)，比較了NEAGaN光電陰極相比起傳統(tǒng)光電陰極的優(yōu)勢(shì)，提出了改進(jìn)GaN光譜響應(yīng)的方向。


關(guān)鍵詞：NEA GaN 光電陰極 光譜響應(yīng)

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