g-C3N4 /PVDF復(fù)合材料的制備和介電性能研究

1.94萬字 37頁 原創(chuàng)作品，已通過查重系統(tǒng)


摘要
近年來電子工業(yè)飛速發(fā)展，使得對(duì)電介質(zhì)材料的要求更高要求介電常數(shù)要更高損耗要更低。當(dāng)前用的比較多的電容器是傳統(tǒng)的陶瓷材料，它雖然具有非常高的介電常數(shù)，但是陶瓷材料的制備工藝復(fù)雜、易脆關(guān)鍵是介電損耗較大此外經(jīng)常在在充電和放電的過程中發(fā)生機(jī)械共振導(dǎo)致它的壽命不高。因此目前制備高介電成為當(dāng)今研究的熱門。
本實(shí)驗(yàn)用熱分解三聚氰胺制造出g-C3N4粉末，再以PVDF為基體g-C3N4為填料，進(jìn)行溶液共混、攪拌、超聲并烘干后采用熱壓發(fā)制備出g-C3N4/PVDF復(fù)合材料薄片。利用XRD、FTIR、SEM和TGA等方法對(duì)相應(yīng)的試樣進(jìn)行表征，并且對(duì)復(fù)合材料薄片的介電性能進(jìn)行了研究得出了以下結(jié)論。
XRD分析得出當(dāng)g-C3N4作為填料加入到PVDF中，隨著g-C3N4填料的增加，峰值越來越高，同樣結(jié)晶度也越來越高。傅里葉變換紅外光譜分析中，隨著g-C3N4填料在復(fù)合材料中成分的增加，它的震動(dòng)變動(dòng)脆弱甚至消失。TGA失重分析得到復(fù)合材料的熱轉(zhuǎn)換溫度Ta隨著填料g-C3N4的增加而升高。復(fù)合材料的介電常數(shù)和損耗隨著g-C3N含量的增加而增加，而且隨著頻率的增加，復(fù)合材料的介電常數(shù)都相應(yīng)減小，g-C3N4含量大的下降更快。而溫度對(duì)復(fù)合材料介電常數(shù)和損耗的影響不大。



關(guān)鍵詞：聚偏氟乙烯，類石墨型氮化碳，介電性能，復(fù)合材料