SiC顆粒增強鋁基復合材料的電子封裝材料制備技術（開題報告）
1、課題的目的及意義
1.1課題綜述
隨著近代高新技術的發(fā)展，對材料不斷提出多方面的性能要求。推動著材料向高比強度、高比剛度、高比韌性、耐高溫、耐腐蝕、抗疲勞等多方而發(fā)展[1]。復合材料的出現(xiàn)在很大程度上解決了材料當前面臨的問題，推進了材料的進展。
本課題正是結合產品生產的需要，運用特定的成型技術，利用顆粒增強基體而制備的一種新型復合材料，這種復合材料是一種高體積分數(shù)的電子封裝材料，同時也是一種功能梯度材料。本課題研究的出發(fā)點就是在了解材料特點的基礎上，結合實際的工藝條件，通過分析比較工藝要素，從而獲得一種可行的制備高體積分數(shù)電子封裝材料的技術。
1.2 課題的現(xiàn)狀分析
1.2.1電子封裝材料
理想電子封裝材料的一些基本性能要求：導熱性能要好，能夠將半導體芯片在工作時所產生的熱量及時地散發(fā)出去；膨脹系數(shù)(CTE) 要與Si 或GaA s等芯片相匹配；足夠的強度和剛度；成本要盡可能低；在某些特殊的場合, 還要求材料的密度盡可能小，或者要求材料具有電磁屏蔽和射頻屏蔽的特性[2]。
針對以上這些性能要求，開發(fā)了一種新型電子封裝材料——SiCp/A l 復合材料。