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反射法測(cè)量大功率半導(dǎo)體激光器腔面溫度 CAVITY SURFACE TEMPERATURE MEASUREMENT OF HIGH POWER SEMICONDUCTOR LASERS BY REFLECTION METHOD 摘 要 大功率半導(dǎo)體激光器作為半導(dǎo)體激光器的一個(gè)重要組成部分,近幾年來,其迅速發(fā)展在國際上受到普遍關(guān)注。隨著各種不同輸出功率、不同工作方式、不同光束質(zhì)量..
非晶InGaAs探測(cè)器材料光電特性研究 PHOTOELECTRIC CHARACTERSTICS OF AMORFHOUS InGaAs DETECTOR MATERIAL 摘 要 非晶態(tài)材料具有長(zhǎng)程無序、短程有序的結(jié)構(gòu)特點(diǎn),這使得非晶態(tài)材料在能帶結(jié)構(gòu)上與晶體材料具有共性的同時(shí),還存在一定的差異。但是目前國內(nèi)外還缺乏非晶態(tài)半導(dǎo)體材料全面和詳盡的研究..
本文檔詳細(xì)敘述了TFT-LCD的發(fā)展歷程、發(fā)展現(xiàn)狀 并對(duì)TFT-LCD液晶顯示屏整個(gè)制作流程進(jìn)行了概述 包括TFT基板Array陣列、Color Filter基板CF陣列以及Cell成盒整個(gè)制作流程 并對(duì)各種不良進(jìn)行了說明、闡述 本文檔對(duì)TFT-LCD顯示模式采用的常用模式進(jìn)行了闡述
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