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如何對(duì)電源產(chǎn)品進(jìn)行可靠、便捷的測(cè)控,是智能高頻開關(guān)電源的核心問(wèn)題。電源測(cè)控涉及到數(shù)據(jù)的測(cè)量、控制、通信和人機(jī)對(duì)話等技術(shù),其中測(cè)量與控制方案的合理性是電源系統(tǒng)可靠性的關(guān)鍵。本文針對(duì)這一點(diǎn),著重探討了一種總線式測(cè)控方案在智能高頻開關(guān)組合電源中的具體應(yīng)用。
智能高頻開關(guān)組合電源,一般采用雙路市電通過(guò)電..
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HIP6004E是降壓型同步整流PWM控制器和輸出電壓監(jiān)控器,它在一個(gè)很小的封裝(SOIC-20或TSSOP-20)內(nèi)集成了PWM控制,輸出電壓調(diào)節(jié),電壓監(jiān)視和過(guò)壓、過(guò)流保護(hù)等功能,可在DC 1.050~1.825V范圍內(nèi),以25mV的增量精確調(diào)節(jié)輸出電壓。另外,它還具有軟啟動(dòng),工作頻率寬范圍可調(diào),遙控開關(guān)機(jī),快速的動(dòng)態(tài)響應(yīng),輸出功率大,..
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電力電子裝置日益廣泛的應(yīng)用,使得諧波污染問(wèn)題引起了人們?cè)絹?lái)越多的關(guān)注。電力電子技術(shù)的進(jìn)步,使得功率因數(shù)校正問(wèn)題的研究也越來(lái)越深入。傳統(tǒng)的功率因數(shù)校正電路由Boost電路構(gòu)成。這種電路控制復(fù)雜,輸出電壓比輸入高,難以實(shí)現(xiàn)輸入輸出的電氣隔離。而由反激電路構(gòu)成的功率因數(shù)校正電路必須工作在電感電流斷續(xù)的狀態(tài),..
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對(duì)于建造的上海同步輻射裝置(SSRF),在束流由300MeV至3.5GeV加速過(guò)程中,依據(jù)物理設(shè)計(jì)要求,增強(qiáng)器采用動(dòng)態(tài)注入和引出方案,增強(qiáng)器主二、四極磁鐵電源的輸出電流均為1Hz周期的電流脈沖,其上升時(shí)間為450ms,下降時(shí)間小于550ms,對(duì)電流的返回曲線不做要求。各主磁鐵電流之間保持預(yù)定的比率關(guān)系,從而保證束流工作點(diǎn)誤差..
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便攜式電子設(shè)備,例如蜂窩電話、PDA和手提電腦的電源都有特殊的過(guò)流保護(hù)要求。這些設(shè)備一般是通過(guò)AC/DC電源適配器供(充)電,將市電或未經(jīng)穩(wěn)壓的直流電轉(zhuǎn)變?yōu)楹线m的低壓直流電。由于越來(lái)越多的人開始在零配件市場(chǎng)上購(gòu)買電源適配器以及所謂的通用充電器,將不兼容或有故障的電源適配器應(yīng)用于便攜式設(shè)備的可能性也就大大..
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Blu ray DVD網(wǎng)絡(luò)應(yīng)用功能測(cè)試流程與測(cè)試指標(biāo)(樣本)
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對(duì)IGBT柵極驅(qū)動(dòng)特性、柵極串聯(lián)電阻及其驅(qū)動(dòng)電路進(jìn)行了探討。提出了慢降柵壓過(guò)流保護(hù)和過(guò)電壓吸收的有效方法。
IGBT是MOSFET與雙極晶體管的復(fù)合器件。它既有MOSFET易驅(qū)動(dòng)的特點(diǎn),又具有功率晶體管電壓、電流容量大等優(yōu)點(diǎn)。其頻率特性介于MOSFET與功率晶體管之間,可正常工作于幾十kHz頻率范圍內(nèi),故在較高頻率的大、中功..
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關(guān)于Buck型三相功率因數(shù)校正技術(shù)的發(fā)展的畢業(yè)論文 隨著電力質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)的日益嚴(yán)格,PFC技術(shù)已成為電力電子領(lǐng)域中的研究熱點(diǎn)。由于單相PFC技術(shù)已經(jīng)實(shí)用化、產(chǎn)品化,于是許多學(xué)者將研究重點(diǎn)放在了三相PFC技術(shù)上(盡管不可控整流功率因數(shù)校正的研究已經(jīng)取得了一定進(jìn)展,但還是很難滿足質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn),故本文只針對(duì)全控型)。提到..
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IE工業(yè)工程------MODAPTS模特法。