功率MOSFET雪崩擊穿問(wèn)題故障分析
近年來(lái)作了多次關(guān)于功率半導(dǎo)體器件發(fā)展趨勢(shì)的報(bào)告，許多朋友都希望我講得更詳細(xì)些，或更能符合應(yīng)用工作者的口味，因而撰寫(xiě)一篇現(xiàn)代功率半導(dǎo)體器件淺說(shuō)的想法由來(lái)已久。只是由于設(shè)想太大，久久未能動(dòng)筆?，F(xiàn)在從功率MOSFET寫(xiě)起，作為現(xiàn)代功率半導(dǎo)體器件淺說(shuō)之一，以后再接著寫(xiě)之二、之三，這樣就免于擱淺。本文是一種嘗試，希望能使讀者對(duì)現(xiàn)代功率半導(dǎo)體器件的發(fā)展有較深入的理解，能更主動(dòng)地以新一代的器件去改進(jìn)自己的電路。既是一篇淺說(shuō)，就需要把基本原理講得盡可能淺顯些。使大家像讀故事書(shū)那樣把技術(shù)弄清楚。有的解釋或許不夠嚴(yán)格。如果我忽略了一些主要的東西，希望讀者能協(xié)助我予以改正。
　　由于世界市場(chǎng)的激烈競(jìng)爭(zhēng)，各功率半導(dǎo)體器件制造商正投入大量資金發(fā)展新的設(shè)計(jì)、改進(jìn)新的工藝、開(kāi)發(fā)新的產(chǎn)品。好些產(chǎn)品甚至每個(gè)季度都有新的發(fā)展，品種的更新?lián)Q代幾乎到了使人眼花繚亂的程度。因此詳細(xì)介紹器件發(fā)展的新趨勢(shì)，就顯得更為必要了。