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噴淋式mocvd反應(yīng)器輸運(yùn)過(guò)程的數(shù)值模擬研究.doc

  
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噴淋式mocvd反應(yīng)器輸運(yùn)過(guò)程的數(shù)值模擬研究,噴淋式mocvd反應(yīng)器輸運(yùn)過(guò)程的數(shù)值模擬研究1.8萬(wàn)字47頁(yè) 原創(chuàng)作品，已通過(guò)查重系統(tǒng)摘要 金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積（metal organic chemical vapor，簡(jiǎn)稱mocvd）是制備半導(dǎo)體器件、金屬、金屬氧化物、金屬氮化物等薄膜材料的一種技術(shù)。該技術(shù)是制備微電子和光電子包括激光和微波器件的關(guān)鍵，是半導(dǎo)體技術(shù)...
編號(hào):99-1364835大小:4.31M
分類(lèi): 論文>機(jī)械工業(yè)論文

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噴淋式MOCVD反應(yīng)器輸運(yùn)過(guò)程的數(shù)值模擬研究


1.8萬(wàn)字 47頁(yè) 原創(chuàng)作品，已通過(guò)查重系統(tǒng)


摘要 金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積（metal organic chemical vapor，簡(jiǎn)稱MOCVD）是制備半導(dǎo)體器件、金屬、金屬氧化物、金屬氮化物等薄膜材料的一種技術(shù)。該技術(shù)是制備微電子和光電子包括激光和微波器件的關(guān)鍵，是半導(dǎo)體技術(shù)的一項(xiàng)重要支柱。該技術(shù)在薄膜制備方面對(duì)薄膜材料的質(zhì)量、厚度的均勻性等要求非常嚴(yán)格，并涉及到了復(fù)雜的氣體流動(dòng)與傳熱傳質(zhì)問(wèn)題，并伴隨著許多物理化學(xué)現(xiàn)象的發(fā)生。因而國(guó)內(nèi)關(guān)于反應(yīng)器內(nèi)流場(chǎng)與溫度場(chǎng)的研究只是還處于起步階段，對(duì)于MOCVD反應(yīng)器內(nèi)流動(dòng)進(jìn)行計(jì)算并掌握其規(guī)律是十分必要的。本文簡(jiǎn)要介紹CVD基本原理，MOCVD國(guó)內(nèi)外研究現(xiàn)狀，并對(duì)噴淋式MOCVD反應(yīng)器的輸運(yùn)過(guò)程利用FLUENT軟件進(jìn)行數(shù)值模擬，研究反應(yīng)器內(nèi)各種操作參數(shù)（如氣體的流量、壓強(qiáng)、壁面和襯底的溫度等）對(duì)流場(chǎng)、溫度場(chǎng)的影響，研究反應(yīng)器的幾何形狀和尺寸對(duì)輸運(yùn)過(guò)程的影響。


關(guān)鍵詞：MOCVD反應(yīng)器 流場(chǎng) 溫度場(chǎng) 數(shù)值模擬



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