MOCVD垂直噴淋式反應(yīng)器數(shù)值模擬和分析

8700字 24頁(yè) 原創(chuàng)作品，已通過查重系統(tǒng)

摘要：
金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積（MOCVD）是制備LED、半導(dǎo)體激光器和大功率電子器件的關(guān)鍵技術(shù)。深入了解MOCVD反應(yīng)器內(nèi)的薄膜生長(zhǎng)過程，對(duì)于優(yōu)化反應(yīng)器設(shè)計(jì)、控制薄膜生長(zhǎng)速率和提高薄膜生長(zhǎng)質(zhì)量，具有重要意義。
本文簡(jiǎn)介了GaN的MOCVD生長(zhǎng)方法，對(duì)MOCVD的反應(yīng)器做了大致的介紹；簡(jiǎn)述了MOCVD的原理；對(duì)國(guó)內(nèi)外的MOCVD設(shè)備的現(xiàn)狀做了大致的說(shuō)明；并且結(jié)合fluent軟件，對(duì)垂直式噴淋式MOCVD反應(yīng)器襯底轉(zhuǎn)速、氣體進(jìn)口流速等關(guān)鍵（襯底轉(zhuǎn)速、氣體進(jìn)口流速）因素對(duì)GaN的影響進(jìn)行了數(shù)值模擬，并且對(duì)模擬結(jié)果進(jìn)行了分析。
模擬結(jié)果證明 對(duì)于溫度分布而言，進(jìn)氣口速度越大越好；對(duì)于反應(yīng)物濃度分布而言，進(jìn)氣口速度越小越好，轉(zhuǎn)速越快越好。但進(jìn)氣速度太大會(huì)導(dǎo)致氣體源的浪費(fèi)。因此應(yīng)該綜合考慮選擇合適的進(jìn)氣速度；射流速度越大，對(duì)薄膜形成也就越有利。但是，對(duì)于反應(yīng)物濃度分布，可能較低的進(jìn)口速度會(huì)比較好，射速過快可能會(huì)產(chǎn)生湍流，也可能會(huì)形成死區(qū)。