托盤(pán)為弧面的垂直噴淋式MOCVD反應(yīng)器的數(shù)值模擬分析與對(duì)比

1萬(wàn)字 27頁(yè) 原創(chuàng)作品，已通過(guò)查重系統(tǒng)


摘要：金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積（MOCVD）是制備LED、半導(dǎo)體激光器和大功率電子器件的關(guān)鍵技術(shù)。在MOCVD反應(yīng)器中，存在著由于大的溫度差引發(fā)的強(qiáng)烈的自然對(duì)流，由濃度差引起的濃度擴(kuò)散，由高溫引起的氣相和表面化學(xué)反應(yīng)，由高溫引起的熱擴(kuò)散以及高溫襯底對(duì)壁面的熱輻射等。它們與反應(yīng)器的形狀和幾何尺寸等因素耦合在一起，影響薄膜生長(zhǎng)的速率和質(zhì)量。因此，深入了解MOCVD反應(yīng)器內(nèi)的薄膜生長(zhǎng)過(guò)程，對(duì)于優(yōu)化反應(yīng)器設(shè)計(jì)、控制薄膜生長(zhǎng)速率和提高薄膜生長(zhǎng)質(zhì)量，具有重要意義。
為了提高薄膜生長(zhǎng)的質(zhì)量。本論文設(shè)計(jì)了一款托盤(pán)為弧形的垂直噴淋頭式MOCVD反應(yīng)器：反應(yīng)氣體從襯底上方的噴淋頭噴向晶片，反應(yīng)后的尾氣從托盤(pán)的邊緣排除，由于托盤(pán)是弧面，尾氣由于受到重力的影響，向托盤(pán)邊緣排放的速度更加迅速，最后從下方的出氣口排出。
在CVD過(guò)程中，襯底表面附近存在著流動(dòng)性很差的濃度邊界層。反應(yīng)氣體里的各種組分只有經(jīng)過(guò)擴(kuò)散過(guò)程通過(guò)邊界層，才能參與薄膜表面的沉積過(guò)程。同樣，反應(yīng)的產(chǎn)物也必須經(jīng)擴(kuò)散過(guò)程通過(guò)邊界層，才能離開(kāi)薄膜表面。因此，擴(kuò)散是薄膜沉積中的一個(gè)很重要的環(huán)節(jié)。當(dāng)系統(tǒng)中化學(xué)組分的濃度存在不均勻性時(shí)，將引起相應(yīng)組分?jǐn)U散。將托盤(pán)造成弧形就更有利于反應(yīng)氣體的擴(kuò)散，減小濃度差，而且能解決垂直噴淋式反應(yīng)器一直的一個(gè)難題——反應(yīng)尾氣不能及時(shí)排出，弧形托盤(pán)使尾氣流動(dòng)擴(kuò)散速度更加迅速，從而提高了反應(yīng)效率和晶片質(zhì)量。
本文簡(jiǎn)單介紹了mocvd的原理和垂直噴淋式反應(yīng)器，主要是利用fluent軟件對(duì)垂直噴淋式反應(yīng)器托盤(pán)分別為平面，凹面，凸面的模擬，然后比較三種模擬的溫度場(chǎng)，濃度場(chǎng)，流場(chǎng)的區(qū)別并進(jìn)行分析


關(guān)鍵詞：弧面 MOCVD 垂直噴淋式 數(shù)值模擬 FLUENT軟件