CuO薄膜介電性能的研究
Study on dielectric properties of CuO films

1.38萬字 35頁 原創(chuàng)作品，已通過查重系統(tǒng)


摘要 由于資源的日益匱乏，人類對資源的利用、儲存的效率都有更高的要求，因此相關(guān)領(lǐng)域的研究備受重視。高儲能密度電容器是電子電力行業(yè)中最重要的儲能類元件之一，而儲能類電容器中的高介電薄膜層更是直接影響儲能電容器性質(zhì)的關(guān)鍵。本論文采用溶膠-凝膠法制備Al、Mg的CuO薄膜，研究Al、Mg摻雜對CuO薄膜介電性能的影響。本文設(shè)計了幾組摻雜量不同的實驗作為對比實驗，形成未摻雜和摻雜的對比以及摻雜量不同對CuO薄膜性能的影響，以期得到介電性能更好的CuO薄膜，使其能在實際生產(chǎn)中得到更廣泛的應(yīng)用，實現(xiàn)更大的市場價值。
本文的第一章描述了介電材料具有介電性能的機理和特性；第二章詳細介紹了制備薄膜的基本技術(shù)和原理；第三章介紹了本實驗的原理和具體步驟；第四章分析了實驗樣品測試后得到的數(shù)據(jù)，對一些現(xiàn)象作出合理的猜測和解釋。從實驗的結(jié)果我們可以看到，對純CuO薄膜進行摻雜會使其的介電性能、壓敏性能發(fā)生改善，并且摻雜量的不同也對其有不同的影響。


關(guān)鍵詞：CuO薄膜 介電常數(shù) 介電損耗 電容器 溶膠-凝膠法