組成對低溫燒結鈦酸鋇鍶基電容器陶瓷性能的影響
Effect of composition on Properties of low-temperature sintering BST Ceramics for Capacitor applications

1.25萬字 31頁 原創(chuàng)作品，已通過查重系統(tǒng)


摘要 (BaSr)TiO3是典型鈣鈦礦結構的鐵電材料它在室溫下具有高的介電常數(shù)和低的介電損耗是作為片式多層陶瓷電容器(Multiplayer Ceramic Chip Capacitors，英文縮寫(MLCC))的優(yōu)良陶瓷介質材料。為降低MLCC產品的成本，就必須實現(xiàn)鈦酸鋇鍶基陶瓷的低溫燒結。本課題采用傳統(tǒng)固相法制備了鈦酸鍶鋇基(Ba0.65Sr0.35TiO3)電容器陶瓷，研究了不同 Nd2O3摻雜含量以及燒結溫度對體系微觀形貌及介電性能的影響。并用X-射線衍射(XRD)分析了陶瓷樣品的晶相組成，利用掃描電鏡(SEM)分析了不同燒結溫度得到的陶瓷顯微結構。結果表明:樣品為純鈣鈦礦結構，Nd2O3的摻雜可以導致晶格變大。陶瓷樣品表面呈顆粒狀，Nd2O3摻雜可以改變表面顆粒尺寸；當Nd2O3摻雜量過大時，會導致部分晶粒異常長大。當Nd2O3摻雜量為0.1wt.%時，陶瓷致密性最好。當Nd2O3摻雜量小于0.1wt.%時，樣品介電常數(shù)隨著燒結溫度的增加而表現(xiàn)出上升趨勢；當Nd2O3摻雜量大于0.3 wt.%時，樣品介電常數(shù)隨著燒結溫度的增加先增加后降低。Nd2O3摻雜量增加時，樣品的介質損耗表現(xiàn)為先增加后減少的趨勢；975℃下燒結的Nd2O3摻雜量為2wt.%的樣品的介電性能最好，介電損耗最小(ε=496；tanδ=0.004)


關鍵詞：多層陶瓷電容器 固相法 摻雜 介電性能