納米多孔硅的形貌控制合成及其表征


摘要：隨著人們對多孔硅材料的研究，多孔硅在生物醫(yī)學(xué)，太陽能電池，光子器件和傳感器等領(lǐng)域得到了廣泛的應(yīng)用。以多孔硅為對象的相關(guān)研究為當(dāng)今國際凝聚態(tài)物理和材料、化學(xué)、生物等研究領(lǐng)域中的熱點。多孔硅在這些領(lǐng)域中的應(yīng)用與它的孔隙率、形貌特征和光致發(fā)光性能有關(guān)。本文采用電化學(xué)腐蝕法制備納米多孔硅，采用SEM技術(shù)分析多孔硅的表面形貌，研究了腐蝕條件對多孔硅的孔隙率、厚度、孔徑以及光致發(fā)光性能的影響。結(jié)果表明，多孔硅的孔隙率隨著腐蝕電流密度和腐蝕時間的增加而呈線性增大趨勢，其厚度隨著腐蝕電流密度的增加而呈近似線性增大趨勢，隨腐蝕時間的成倍增加而顯著增大