摘要  采用強(qiáng)流脈沖電子束(HCPEB)裝置對(duì)單晶鍺進(jìn)行表面輻照處理，利用光學(xué)顯微鏡（OM），原子力顯微鏡（AFM），掃描電子顯微鏡（SEM），透射電子顯微鏡（TEM）對(duì)輻照后樣品的微觀結(jié)構(gòu)進(jìn)行詳細(xì)的表征，并考察了HCPEB輻照后樣品的光致發(fā)光性能。實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明：輻照后樣品表面形成的微觀缺陷以空位簇缺陷以及位錯(cuò)圈為主。PL結(jié)果顯示輻照后單晶Ge樣品具有藍(lán)光發(fā)射特性，發(fā)光機(jī)理為鑲嵌在輕微氧化或氮化的非晶結(jié)構(gòu)中的Ge納米晶的量子限制效應(yīng)。此外，HCPEB輻照在樣品表面形成了納米晶結(jié)構(gòu)，在樣品表面也形成了“圓頂型”和“流線型納米條帶”自組裝納米結(jié)構(gòu)。

關(guān)鍵字：強(qiáng)流脈沖電子束(HCPEB)；鍺；自組裝納米結(jié)構(gòu)；光致發(fā)光