納米線制作Field-effect transistors, single-electron transistors, light-emitting devices,和 chemical sensors經(jīng)過積極地探索，造福人類。因?yàn)?-D尺度上的量子限制效應(yīng)，電子空穴表現(xiàn)出新穎的物理現(xiàn)象。
納米線需要控制SIZE均勻，位置均勻，獲得較好的納米線器件性質(zhì)。選擇面SA-MOCVD生長納米線，能獲得高質(zhì)量納米線陣列。
電流的傳輸速度有限，II-V族化合物處理傳輸光信號和電信號，光學(xué)互聯(lián)有更好的效果，能利用光速快的優(yōu)點(diǎn)。所以需要尋找Si晶片上的單片集成光源。Si、Ge是間接帶隙，光源需要直接帶隙的材料。III-V族化合物（GaAs、InP）是直接帶隙，但是Si和III-V有較大的晶格失配。III-V的在Si上的外延生長溫度較高，比GaAs、InP襯底上生長III-V化合物生長溫度高，所以III-V族材料集成到Si晶片上，比較困難。
太陽電池需要多個(gè)帶隙的III-V材料，不同帶隙的材料光生電流，