中空SiO2的合成及表征

1.35萬(wàn)字 31頁(yè) 原創(chuàng)作品，已通過(guò)查重系統(tǒng)


畢業(yè)設(shè)計(jì)說(shuō)明書(shū)中文摘要
在過(guò)去的二十年中系統(tǒng)地開(kāi)發(fā)二氧化硅微孔介孔材料無(wú)論是基礎(chǔ)科學(xué)還是先進(jìn)技術(shù)都已成為一個(gè)很有意義的挑戰(zhàn)。在本文中，我們采用奧斯特瓦爾德熟化的方法制備中空二氧化硅，研究反應(yīng)溫度、反應(yīng)時(shí)間及硅源用量等反應(yīng)條件對(duì)制備中空二氧化硅的影響。本實(shí)驗(yàn)以原硅酸四乙酯為硅源，加入CTAB做表面活性劑，設(shè)定反應(yīng)溫度為90、100、150、180℃，反應(yīng)時(shí)間為10、13、16h，硅源用量為0.5、1.0、1.5、2.4ml，對(duì)不同條件下所制得的樣品進(jìn)行表征。
當(dāng)濃度、溫度不變時(shí)，反應(yīng)時(shí)間越長(zhǎng)，衍射峰強(qiáng)度越低，峰所在角度越大；濃度、時(shí)間不變時(shí)，隨溫度升高，隨著溫度升高，衍射峰的強(qiáng)度變大，衍射峰所在角度及介孔孔徑變化無(wú)明顯規(guī)律；溫度、時(shí)間不變時(shí)，隨硅源用量變大，峰所在角度變大，有序孔孔徑基本不變。
結(jié)果表明，硅源用量為1.0ml，反應(yīng)溫度為150℃，反應(yīng)時(shí)間為16h是反應(yīng)的最佳條件。


關(guān)鍵詞 介孔二氧化硅，奧斯瓦爾德熟化，中空結(jié)構(gòu)