中空sio2的合成及表征.doc
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中空sio2的合成及表征,中空sio2的合成及表征1.35萬(wàn)字31頁(yè)原創(chuàng)作品,已通過(guò)查重系統(tǒng)畢業(yè)設(shè)計(jì)說(shuō)明書(shū)中文摘要在過(guò)去的二十年中系統(tǒng)地開(kāi)發(fā)二氧化硅微孔介孔材料無(wú)論是基礎(chǔ)科學(xué)還是先進(jìn)技術(shù)都已成為一個(gè)很有意義的挑戰(zhàn)。在本文中,我們采用奧斯特瓦爾德熟化的方法制備中空二氧化硅,研究反應(yīng)溫度、反應(yīng)時(shí)間及硅源用量等反應(yīng)條件對(duì)制備中空二氧化硅的影響。本實(shí)驗(yàn)...


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此文檔由會(huì)員 花粥 發(fā)布
中空SiO2的合成及表征
1.35萬(wàn)字 31頁(yè) 原創(chuàng)作品,已通過(guò)查重系統(tǒng)
畢業(yè)設(shè)計(jì)說(shuō)明書(shū)中文摘要
在過(guò)去的二十年中系統(tǒng)地開(kāi)發(fā)二氧化硅微孔介孔材料無(wú)論是基礎(chǔ)科學(xué)還是先進(jìn)技術(shù)都已成為一個(gè)很有意義的挑戰(zhàn)。在本文中,我們采用奧斯特瓦爾德熟化的方法制備中空二氧化硅,研究反應(yīng)溫度、反應(yīng)時(shí)間及硅源用量等反應(yīng)條件對(duì)制備中空二氧化硅的影響。本實(shí)驗(yàn)以原硅酸四乙酯為硅源,加入CTAB做表面活性劑,設(shè)定反應(yīng)溫度為90、100、150、180℃,反應(yīng)時(shí)間為10、13、16h,硅源用量為0.5、1.0、1.5、2.4ml,對(duì)不同條件下所制得的樣品進(jìn)行表征。
當(dāng)濃度、溫度不變時(shí),反應(yīng)時(shí)間越長(zhǎng),衍射峰強(qiáng)度越低,峰所在角度越大;濃度、時(shí)間不變時(shí),隨溫度升高,隨著溫度升高,衍射峰的強(qiáng)度變大,衍射峰所在角度及介孔孔徑變化無(wú)明顯規(guī)律;溫度、時(shí)間不變時(shí),隨硅源用量變大,峰所在角度變大,有序孔孔徑基本不變。
結(jié)果表明,硅源用量為1.0ml,反應(yīng)溫度為150℃,反應(yīng)時(shí)間為16h是反應(yīng)的最佳條件。
關(guān)鍵詞 介孔二氧化硅,奧斯瓦爾德熟化,中空結(jié)構(gòu)
1.35萬(wàn)字 31頁(yè) 原創(chuàng)作品,已通過(guò)查重系統(tǒng)
畢業(yè)設(shè)計(jì)說(shuō)明書(shū)中文摘要
在過(guò)去的二十年中系統(tǒng)地開(kāi)發(fā)二氧化硅微孔介孔材料無(wú)論是基礎(chǔ)科學(xué)還是先進(jìn)技術(shù)都已成為一個(gè)很有意義的挑戰(zhàn)。在本文中,我們采用奧斯特瓦爾德熟化的方法制備中空二氧化硅,研究反應(yīng)溫度、反應(yīng)時(shí)間及硅源用量等反應(yīng)條件對(duì)制備中空二氧化硅的影響。本實(shí)驗(yàn)以原硅酸四乙酯為硅源,加入CTAB做表面活性劑,設(shè)定反應(yīng)溫度為90、100、150、180℃,反應(yīng)時(shí)間為10、13、16h,硅源用量為0.5、1.0、1.5、2.4ml,對(duì)不同條件下所制得的樣品進(jìn)行表征。
當(dāng)濃度、溫度不變時(shí),反應(yīng)時(shí)間越長(zhǎng),衍射峰強(qiáng)度越低,峰所在角度越大;濃度、時(shí)間不變時(shí),隨溫度升高,隨著溫度升高,衍射峰的強(qiáng)度變大,衍射峰所在角度及介孔孔徑變化無(wú)明顯規(guī)律;溫度、時(shí)間不變時(shí),隨硅源用量變大,峰所在角度變大,有序孔孔徑基本不變。
結(jié)果表明,硅源用量為1.0ml,反應(yīng)溫度為150℃,反應(yīng)時(shí)間為16h是反應(yīng)的最佳條件。
關(guān)鍵詞 介孔二氧化硅,奧斯瓦爾德熟化,中空結(jié)構(gòu)
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