外文翻譯-應(yīng)用于異質(zhì)結(jié)太陽電池中摻雜非晶硅層的優(yōu)化.zip
外文翻譯-應(yīng)用于異質(zhì)結(jié)太陽電池中摻雜非晶硅層的優(yōu)化,材料科學(xué)與工程 材料物理與化學(xué),包括外文文獻(xiàn)翻譯及原文optimisation of doped amorphous silicon layers applied toheterojunction solar cells應(yīng)用于異質(zhì)結(jié)太陽電池中摻雜非晶硅層的優(yōu)化abstractthe optimisation of am...
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材料科學(xué)與工程 材料物理與化學(xué),包括外文文獻(xiàn)翻譯及原文
Optimisation of doped amorphous silicon layers applied toheterojunction solar cells
應(yīng)用于異質(zhì)結(jié)太陽電池中摻雜非晶硅層的優(yōu)化
Abstract
The optimisation of amorphous silicon layers (a-Si:H) is of key importance to obtain high efficiency heterojunction(HJ) solar cells. However since many mechanisms take place in photovoltaic energy conversion good electrical andoptical properties of a-Si:H films do not always result in high efficiency HJ devices. This is principally due to the useof very thin layers were interfaces are of capital importance and bulk properties are not always the main guideline tobest results on solar cells. In this work we focus on the doping analysis of (n) and (p) a-Si:H layers directly and theirimpact on solar cell results. First we have deposited and characterized simple (p) and (n) a-Si:H layers and then wehave integrated them on full heterojunction solar cells. We have correlated the solar cells characteristics (Jsc Voc andFF) with layer properties in order to understand the main mechanisms involved in the high performance of HJdevices. Finally we have chosen the best layers to improve the efficiency of our heterojunction solar cells on (n) c-Si125PSQ wafers up to 20% on an industrially-compatible process.
摘 要
非晶硅層的優(yōu)化對于制備異質(zhì)結(jié)太陽電池來說非常重要。然而,由于在光伏能量轉(zhuǎn)換中有許多機(jī)制發(fā)生,所以即使優(yōu)化好的非晶硅薄膜具有良好的電學(xué)和光學(xué)性能,它也并不一定是具有高效率的器件。這主要是由于作為界面的非晶硅薄層的使用在太陽能電池中具有重要的作用,并且為了得到最好的結(jié)果,整體性能并不總是主要的原則。在本篇論文中,我們專注于直接對n型及p型非晶硅層進(jìn)行摻雜分析并研究他們在最后的太陽能電池中所產(chǎn)生的影響。首先,我們沉積了具有簡單典型特征的p型及n型非晶硅層,然后我們把他們整合到完整的異質(zhì)結(jié)太陽能電池中。我們將得到的電池特性參數(shù)(短路電流、開路電壓、填充因子)與對應(yīng)的非晶硅層的特性聯(lián)系起來,以便于理解高效率異質(zhì)結(jié)電池包含的主要機(jī)理。最后,我們選擇了在型號為125PSQ的n型晶圓片上沉積性能最好的非晶層上來提高異質(zhì)結(jié)電池效率,從而達(dá)到了可以與工業(yè)化水平相比的20%的電池效率。
Optimisation of doped amorphous silicon la
應(yīng)用于異質(zhì)結(jié)太陽電池中摻雜非晶硅層的優(yōu)化
Abstract
The optimisation of amorphous silicon la
摘 要
非晶硅層的優(yōu)化對于制備異質(zhì)結(jié)太陽電池來說非常重要。然而,由于在光伏能量轉(zhuǎn)換中有許多機(jī)制發(fā)生,所以即使優(yōu)化好的非晶硅薄膜具有良好的電學(xué)和光學(xué)性能,它也并不一定是具有高效率的器件。這主要是由于作為界面的非晶硅薄層的使用在太陽能電池中具有重要的作用,并且為了得到最好的結(jié)果,整體性能并不總是主要的原則。在本篇論文中,我們專注于直接對n型及p型非晶硅層進(jìn)行摻雜分析并研究他們在最后的太陽能電池中所產(chǎn)生的影響。首先,我們沉積了具有簡單典型特征的p型及n型非晶硅層,然后我們把他們整合到完整的異質(zhì)結(jié)太陽能電池中。我們將得到的電池特性參數(shù)(短路電流、開路電壓、填充因子)與對應(yīng)的非晶硅層的特性聯(lián)系起來,以便于理解高效率異質(zhì)結(jié)電池包含的主要機(jī)理。最后,我們選擇了在型號為125PSQ的n型晶圓片上沉積性能最好的非晶層上來提高異質(zhì)結(jié)電池效率,從而達(dá)到了可以與工業(yè)化水平相比的20%的電池效率。
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