新型電容壓敏雙功能材料制備技術(shù)研究
Preparation of New Type Capacitor-varistor Bifunctional Material

1.6萬字 36頁 原創(chuàng)作品，已通過查重系統(tǒng)


摘要：隨著電力電子技術(shù)的高速發(fā)展，新型電容壓敏雙功能材料受到越來越多的關(guān)注。電容-壓敏雙功能器件在設(shè)備過電壓保護(hù)、吸收高頻電脈沖、消除電路噪聲、提高功能器件的自保護(hù)特性等方面有著廣泛用途，對實(shí)現(xiàn)器件小型化與功能化具有重要意義。本文以溶膠-凝膠法制備了ZnO/CCTO復(fù)合膜以及ZnO/CuO復(fù)合膜，利用XRD分析其物相，SEM觀察橫截面形貌，壓敏電阻直流參數(shù)分析儀測試其壓敏性能，阻抗分析儀Agilent HP4294A測試其介電性能，分析了ZnO/CCTO復(fù)合膜和ZnO/CuO復(fù)合膜的微觀結(jié)構(gòu)和電學(xué)性能。
對于ZnO/CCTO復(fù)合膜，XRD表明樣品中有結(jié)晶良好的ZnO相和CCTO相，少量Mn2O3和Bi2O3的存在說明Mn2O3和Bi2O3并未與ZnO反應(yīng)生成新相；SEM圖分析表明CCTO-ZnO 薄膜結(jié)構(gòu)最佳，具有明顯的分層現(xiàn)象，橫截面呈均勻結(jié)構(gòu)；所有的樣品均表現(xiàn)出強(qiáng)烈的E-J非線性；CCTO-ZnO-CCTO結(jié)構(gòu)的薄膜樣品具有最大的非線性系數(shù)2.9和最小的漏電流444μA。同時CCTO-ZnO-CCTO在低頻具有最低的介電損耗和較高的介電常數(shù)，對于ZnO/CuO復(fù)合膜，XRD表明樣品中有結(jié)晶良好的ZnO相和CuO相，在XRD圖中也存在少量Mn2O3和Bi2O3；SEM圖分析表明ZnO-CuO-ZnO薄膜的結(jié)構(gòu)最佳，結(jié)構(gòu)均勻；所有的樣品均在低壓范圍內(nèi)表現(xiàn)出強(qiáng)烈的E-J非線性，ZnO-CuO-ZnO結(jié)構(gòu)的薄膜樣品具有最大的非線性系數(shù)1.8和最小的漏電流607μA；ZnO-CuO-ZnO結(jié)構(gòu)的薄膜樣品的介電損耗在低頻區(qū)也是最低的。將兩者薄膜并聯(lián)提高了介電性能，但是壓敏性能并沒有得到改善。


關(guān)鍵詞：雙功能材料； 電容； 壓敏； ZnO