摘要：本文采用磁控濺射技術(shù)，通過改變?yōu)R射功率制備了系列非晶硅薄膜，并研究了薄膜的光學(xué)性能。結(jié)果發(fā)現(xiàn)，隨著濺射功率的提高，硅薄膜生長速率線性增加。紅外光譜測試表明，硅薄膜中含有少量H，并以SiH2 的形式存在，隨著濺射功率的提高，薄膜中的H 含量逐漸增加，而其光學(xué)能隙逐漸從1.58eV 增加到1.74eV。光致發(fā)光實(shí)驗(yàn)顯示，硅薄膜在380nm 和730nm 處出現(xiàn)了兩處發(fā)光峰，其峰位幾乎沒有變化，而其發(fā)光強(qiáng)度和硅薄膜中氧化硅的含量有關(guān)。