目 錄
第一章 緒論 1
1.1 引言 1
1.2 阻變存儲器的工作機理 3
1.2.1 熔絲-反熔絲模型 4
1.2.2 電化學原理（ECM）模型 5
1.2.3 離子價變（VCM）模型 6
1.3 阻變存儲器模擬的國內外研究現狀 7
1.4 Monte Carlo方法模擬 8
1.5 本論文的研究意義與內容 9
第二章 基于電化學原理RRAM的Monte Carlo仿真分析 11
2.1電化學導電細絲RRAM的Monte Carlo模擬仿真流程 11
2.2 基于陰極導電細絲的ECM RRAM的KMC模擬仿真步驟 13
2.3 陰極導電細絲機理的RRAM仿真結果與分析 15
2.3.1仿真I-V曲線及導電細絲生長的非均勻性 15
2.3.2 阻變層厚度對阻變轉變時間的影響 17
2.3.3 導電細絲的形貌分析 18
2.4 本章小結 19
第三章 雙極型RRAM器件二維尺寸因素影響的模擬分析 20
3.1 雙極型RRAM結構仿真計算方法 20
3.2 二維尺度效應：器件電學特性變化 20
3.3二維尺度效應：均勻性的改善 21
3.4二維尺度效應：局域熱效應 22
第四章 VCM原理RRAM的仿真模擬 24
4.1基于勢阱輔助隧穿效應的電子占有率計算 24
4.2電子占有率計算模型的建立 26
4.3電子占有率模擬仿真結果分析 27
4.4雙極型氧空位器件阻變過程描述與建模 29
4.5 Forming阻變過程的模擬仿真 30
4.6 Reset阻變過程的模擬仿真 31
4.7本章總結 33
第五章 Cu/VOx/W結構阻變存儲器的制備與表征 34
5.1 VOx阻變器件的制備 34
5.2 VOx阻變器件物理特性表征 35
5.3 VOx器件的電學性能表征與分析 37
5.4 Cu/VOx/W結構器件電學性質與電化學模型仿真的比較與分析 40
第六章 總結與展望 41
參考文獻 43
發(fā)表論文和科研情況說明 48
致 謝 50