sio2介質(zhì)mos結(jié)構(gòu)的總劑量輻照損傷效應(yīng)數(shù)值模擬.doc
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sio2介質(zhì)mos結(jié)構(gòu)的總劑量輻照損傷效應(yīng)數(shù)值模擬,sio2介質(zhì)mos結(jié)構(gòu)的總劑量輻照損傷效應(yīng)數(shù)值模擬2萬字 53頁原創(chuàng)作品，已通過查重系統(tǒng) 摘要 半導(dǎo)體集成電路在我們的生活中的應(yīng)用已經(jīng)十分廣泛了，而它的重要組成部分mos結(jié)構(gòu)又是半導(dǎo)體器件中的核心。而在這之中，使用最為廣泛，技術(shù)最為成熟，時間最長的，就是sio2介質(zhì)的mos結(jié)構(gòu)器件。半導(dǎo)體器件容易受到輻射的干擾而失效，...
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SiO2介質(zhì)MOS結(jié)構(gòu)的總劑量輻照損傷效應(yīng)數(shù)值模擬
2萬字 53頁 原創(chuàng)作品，已通過查重系統(tǒng)
摘 要
半導(dǎo)體集成電路在我們的生活中的應(yīng)用已經(jīng)十分廣泛了，而它的重要組成部分MOS結(jié)構(gòu)又是半導(dǎo)體器件中的核心。而在這之中，使用最為廣泛，技術(shù)最為成熟，時間最長的，就是SiO2介質(zhì)的MOS結(jié)構(gòu)器件。
半導(dǎo)體器件容易受到輻射的干擾而失效，嚴(yán)重的甚至?xí)p壞電路。這是由于輻射會在半導(dǎo)體器件上產(chǎn)生總劑量效應(yīng)，而總劑量效應(yīng)就會使半導(dǎo)體器件的內(nèi)部發(fā)生物理變化，從而導(dǎo)致?lián)p傷的發(fā)生。
本文使用了Sentaurus TCAD軟件建立物理模型，研究探討了SiO2介質(zhì)MOS器件在伽馬射線的輻照下的總劑量效應(yīng)與內(nèi)在的物理變化。研究表明，輻照使電子電流密度輻照后最高點(diǎn)的數(shù)量級增加了3個數(shù)量級；電子密度輻照后最高點(diǎn)的數(shù)量級增加了1個數(shù)量級；空穴電流密度輻照后的數(shù)量級最高點(diǎn)增加了3個數(shù)量級；空間電荷輻照后最高點(diǎn)的數(shù)量級增加了1個數(shù)量級。
另外，也可得出輻照在介質(zhì)中產(chǎn)生了正的氧化層陷阱電荷量，陷阱電荷的數(shù)量級為1011~1012cm-2，且輻射越強(qiáng)則氧化層陷阱電荷量就越多，MOS器件的損傷也就越大的結(jié)論，希望這個結(jié)論能有助于抗輻照水平研究的提高。
關(guān)鍵詞：SiO2，Sentaurus TCAD，MOS，總劑量效應(yīng)
2萬字 53頁 原創(chuàng)作品，已通過查重系統(tǒng)
摘 要
半導(dǎo)體集成電路在我們的生活中的應(yīng)用已經(jīng)十分廣泛了，而它的重要組成部分MOS結(jié)構(gòu)又是半導(dǎo)體器件中的核心。而在這之中，使用最為廣泛，技術(shù)最為成熟，時間最長的，就是SiO2介質(zhì)的MOS結(jié)構(gòu)器件。
半導(dǎo)體器件容易受到輻射的干擾而失效，嚴(yán)重的甚至?xí)p壞電路。這是由于輻射會在半導(dǎo)體器件上產(chǎn)生總劑量效應(yīng)，而總劑量效應(yīng)就會使半導(dǎo)體器件的內(nèi)部發(fā)生物理變化，從而導(dǎo)致?lián)p傷的發(fā)生。
本文使用了Sentaurus TCAD軟件建立物理模型，研究探討了SiO2介質(zhì)MOS器件在伽馬射線的輻照下的總劑量效應(yīng)與內(nèi)在的物理變化。研究表明，輻照使電子電流密度輻照后最高點(diǎn)的數(shù)量級增加了3個數(shù)量級；電子密度輻照后最高點(diǎn)的數(shù)量級增加了1個數(shù)量級；空穴電流密度輻照后的數(shù)量級最高點(diǎn)增加了3個數(shù)量級；空間電荷輻照后最高點(diǎn)的數(shù)量級增加了1個數(shù)量級。
另外，也可得出輻照在介質(zhì)中產(chǎn)生了正的氧化層陷阱電荷量，陷阱電荷的數(shù)量級為1011~1012cm-2，且輻射越強(qiáng)則氧化層陷阱電荷量就越多，MOS器件的損傷也就越大的結(jié)論，希望這個結(jié)論能有助于抗輻照水平研究的提高。
關(guān)鍵詞：SiO2，Sentaurus TCAD，MOS，總劑量效應(yīng)
