附件C：譯文

雙晶體管電荷分離分析的理論與應(yīng)用

摘要

為了評(píng)估MOS晶體管的輻射響應(yīng)，我們這里描述一個(gè)雙晶體管電荷分離方法。這種方法需要相同加工氧化物的n-和p-通道晶體管被輻射在相同的氧化物電場(chǎng)中。結(jié)合"單晶體管" midgap法和流動(dòng)性方法的特點(diǎn)，我們知道一個(gè)可確定的閾值電壓變化決定于氧化物被困與界面被困標(biāo)準(zhǔn)來自于閾值電壓和流動(dòng)測(cè)量。這些測(cè)量能多做2-5命令比使用midgap法 ，亞閾值斜率， 和電荷抽水方法。雙晶體管法中沒有可調(diào)參數(shù)，并包含一個(gè)內(nèi)部自我一致性檢查。比較MOS工藝和技術(shù)的midgap法 ，亞閾值斜率，和收取抽水方法精確的方法被驗(yàn)證了。雙晶體管的測(cè)量和分析，不僅提供了有用的檢查單晶體管的分析方法，也提供了許多應(yīng)用中電荷分離方法的方法。包括測(cè)試1 ）裝置在生產(chǎn)環(huán)境; 2 ）設(shè)備與寄生蟲場(chǎng)氧化層泄漏; 3 ） SOS和so1技術(shù)與后勤閘或側(cè)墻滲漏，4 ） MOS晶體管在極高的溫度下。

導(dǎo)言

一些通行的做法分離MOS晶體管輻射誘導(dǎo)的閾值電壓變化成部件決定于氧化陷阱與界面陷阱電荷，⊿Vot 和⊿Vit。midgap [ 1,2 ] ，亞閾值斜率[ 3-5] ，和收取抽水方法[ 5-7]依靠低電流測(cè)量。因此，這些方法可能難以適用于大型寄生泄漏的設(shè)備。同時(shí)，在高速度下精確的低電流測(cè)量是難以執(zhí)行。在快速測(cè)量需要的短暫的脈沖輻射情況下這些方式都難以使用[8]?；谏蠈?shí)驗(yàn)關(guān)系界面被困電荷構(gòu)成和流動(dòng)性退化的電荷分離方法[ 9-121不依靠低電流測(cè)量，和不面對(duì)這些限制。不幸的是， 如果沒有一個(gè)獨(dú)立的界面捕獲或氧化物陷阱電荷稠密的決定，流動(dòng)性方法不能被用于單個(gè)晶體管毫不含糊確定⊿Vot和⊿Vit。
在這篇文章中我們描述一個(gè)最近研制的雙晶體管電荷分離分析技術(shù) [13]。該方法應(yīng)用于n-通道和批p-通道晶體管就同一芯片，相同的條件的照射下。midgap和流動(dòng)性的方法相結(jié)合估計(jì)⊿Vot和⊿Vit的特點(diǎn)是無可調(diào)參數(shù)。這些估計(jì)是由標(biāo)準(zhǔn)閾值電壓和移動(dòng)性量度，在同時(shí)2-5命令規(guī)模以上為典型的亞閾值電流或電荷抽水分析得出。雙晶體管估計(jì)⊿Vot和⊿Vit 與midgap ， 亞閾值斜率，和收取抽水方法所有的情況下十分吻合，所有的情況下后者的方法可成功地應(yīng)用。雙晶體管電荷分離方法的優(yōu)點(diǎn)和局限性被討論。