親和素對(duì)量子點(diǎn)的表面修飾研究.doc
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親和素對(duì)量子點(diǎn)的表面修飾研究, study on using avidin modifying the surface of quantum dots1.2萬(wàn)字25頁(yè)原創(chuàng)作品,已通過(guò)查重系統(tǒng)摘要:目的建立親和素修飾cdte量子點(diǎn)的方法,并進(jìn)行表征。方法首先,以mpa作為穩(wěn)定劑,實(shí)現(xiàn) cdte量子點(diǎn)的水相優(yōu)化合成。然后采用...
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親和素對(duì)量子點(diǎn)的表面修飾研究
Study on Using Avidin Modifying the Surface of Quantum Dots
1.2萬(wàn)字 25頁(yè) 原創(chuàng)作品,已通過(guò)查重系統(tǒng)
摘 要:目的 建立親和素修飾CdTe量子點(diǎn)的方法,并進(jìn)行表征。方法 首先,以MPA作為穩(wěn)定劑,實(shí)現(xiàn) CdTe量子點(diǎn)的水相優(yōu)化合成。然后采用親和素修飾CdTe量子點(diǎn),并利用特定的表征技術(shù)如熒光分光光度法和紫外分光光度法等,對(duì)修飾前后的量子點(diǎn)進(jìn)行分析和表征。實(shí)驗(yàn)結(jié)果 在紫外燈照射下,回流時(shí)間 1 h 所得到的 CdTe 量子點(diǎn),顏色為綠色;修飾前后CdTe 量子點(diǎn)對(duì)應(yīng)的熒光光譜圖的發(fā)射峰位從552 nm紅移到了559nm;透射電子顯微鏡下的成像證實(shí)了親和素修飾后CdTe 量子點(diǎn)的尺寸有所增加。結(jié)論 合成的CdTe量子點(diǎn)熒光顯著;親和素已成功修飾到量子點(diǎn)表面。
關(guān)鍵詞:量子點(diǎn);親和素;表面修飾
Study on Using Avidin Modifying the Surface of Quantum Dots
1.2萬(wàn)字 25頁(yè) 原創(chuàng)作品,已通過(guò)查重系統(tǒng)
摘 要:目的 建立親和素修飾CdTe量子點(diǎn)的方法,并進(jìn)行表征。方法 首先,以MPA作為穩(wěn)定劑,實(shí)現(xiàn) CdTe量子點(diǎn)的水相優(yōu)化合成。然后采用親和素修飾CdTe量子點(diǎn),并利用特定的表征技術(shù)如熒光分光光度法和紫外分光光度法等,對(duì)修飾前后的量子點(diǎn)進(jìn)行分析和表征。實(shí)驗(yàn)結(jié)果 在紫外燈照射下,回流時(shí)間 1 h 所得到的 CdTe 量子點(diǎn),顏色為綠色;修飾前后CdTe 量子點(diǎn)對(duì)應(yīng)的熒光光譜圖的發(fā)射峰位從552 nm紅移到了559nm;透射電子顯微鏡下的成像證實(shí)了親和素修飾后CdTe 量子點(diǎn)的尺寸有所增加。結(jié)論 合成的CdTe量子點(diǎn)熒光顯著;親和素已成功修飾到量子點(diǎn)表面。
關(guān)鍵詞:量子點(diǎn);親和素;表面修飾
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