附件C：譯文

適用于極端環(huán)境下兼容8051的異步微控制器內(nèi)核的設(shè)計、制作和測試

Brent Hollosi

（阿肯色大學(xué)計算機工程學(xué)學(xué)士， 2006， UMI編號:1456097）


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摘要:本論文詳述了適用于極端環(huán)境下，與8051兼容的異步微控制器基本組件的設(shè)計，制作和測試。為了讓電路能夠在一個較寬的溫度范圍內(nèi)可靠運行，并且能提供一個電壓縮放比例以降低功耗。本組件的設(shè)計采用NCL延遲反應(yīng)邏輯。而這個設(shè)計將貫穿于能自動生成加工過程流程的整個設(shè)計流程中。設(shè)計將在MOSIS上制作，且要用到IBM SiGe5AM 0.5um進行處理。合成的芯片需要在室內(nèi)低溫下進行測試。

感謝：我要感謝我的論文導(dǎo)師和委員會，感謝他們的大力支持。我還要感謝給予我無私支持的母親。特別感謝Matthew Barlow，沒有他的幫助，論文將無法完成。